Преглед на кода на Галий

{{Химичен елемент
| вид				=сребрист и блестящ метал
| картинка			=Gallium1 640x480.jpg
| име				=Галий
| вляво				=[[Цинк]]
| вдясно			=[[Германий]]
| отгоре			=[[Алуминий|Al]]
| отдолу			=[[Индий|In]]
| група				=13
| период			=4
| блок				=p
| серия				=слаб метал
| серия_коментар		=
| конфигурация			=&#91;[[Аргон|Ar]]&#93; 3d<sup>10</sup> 4s<sup>2</sup> 4p<sup>1</sup>
| конфигурация_коментар		=
| електрони_на_ниво		=2, 8, 18, 3
| електрони_на_ниво_коментар	=
| CAS_номер			=
| CAS_номер_коментар		=
| атомна_маса			=69,723
| атомна_маса_коментар		=
| атомен_радиус			=130
| атомен_радиус2		=136
| атомен_радиус_коментар	=
| ковалентен_радиус		=122±3
| ковалентен_радиус_коментар	=
| ван_дер_Ваалс			=187
| ван_дер_Ваалс_коментар	=
| окс_състояния			='''3''', 2, 1, −1, −2, −4, −5<ref>{{cite book|url=http://www.uni-kassel.de/upress/online/frei/978-3-7281-2597-2.volltext.frei.pdf|author=Hofmann, Patrick |title=Colture. Ein Programm zur interaktiven Visualisierung von Festkörperstrukturen sowie Synthese, Struktur und Eigenschaften von binären und ternären Alkali- und Erdalkalimetallgalliden|page=83 – 233|date=1997|publisher=PhD Thesis, ETH Zurich|doi=10.3929/ethz-a-001859893|isbn=3728125970|lang=de}}</ref>
| окс_състояния_коментар	=
| оксид				=Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (амфотерен)<br/>Ga<sub>2</sub>O (неутрален)
| оксид_коментар		=
| електроотрицателност		=1,81
| електроотрицателност_коментар =
| йон_потенциал			=578,8
| йон_потенциал2		=1979,3
| йон_потенциал3		=2963
| йон_потенциал4		=6180
| йон_потенциал_коментар	=
| агрегатно			=твърдо вещество
| агрегатно_коментар		=
| алотропи			=
| алотропи_коментар		=
| крист_структура		=ромбична
| крист_структура_коментар	=
| крист_структура2		=
| крист_структура_коментар2	=
| плътност			=5910
| плътност_коментар		=
| топене_K			=302,915
| топене_коментар		=
| кипене_K			=2673
| кипене_коментар		=<ref>{{cite journal|doi=10.1021/je1011086|title=Corrected Values for Boiling Points and Enthalpies of Vaporization of Elements in Handbooks|url=https://www.researchgate.net/publication/231538496_Corrected_Values_for_Boiling_Points_and_Enthalpies_of_Vaporization_of_Elements_in_Handbooks|author=Zhang Y|author2= Evans JRG |author3= Zhang S|journal=J. Chem. Eng. Data|year=2011|volume=56 |issue=2|pages=328 – 337|lang=en}}</ref>
| моларен_обем			=11,80×10<sup>-3</sup>
| моларен_обем_коментар		=
| тройна_точка_темп		=
| тройна_точка_налягане		=
| тройна_точка_коментар		=
| крит_точка_темп		=
| крит_точка_налягане		=
| крит_точка_коментар		=
| топл_топене			=5,59
| топл_топене_коментар		=
| топл_изпарение		=256
| топл_изпарение_коментар	=
| налягане_пара_T1		=1310
| налягане_пара_T10		=1448
| налягане_пара_T100		=1620
| налягане_пара_T1k		=1838
| налягане_пара_T10k		=2125
| налягане_пара_T100k		=2518
| скорост_звук			=2740
| скорост_звук_коментар		=при 20 [[целзий|°C]]
| топл_капацитет		=370
| топл_капацитет_коментар	=
| електропроводимост		=6,78×10<sup>6</sup>
| електропроводимост_коментар	=при 20 [[целзий|°C]]
| елсъпротивление		=0,27
| елсъпротивление_коментар	=при 20 [[целзий|°C]]
| топлопроводимост		=40,6
| топлопроводимост_коментар	=
| магнетизъм			=[[диамагнетизъм|диамагнитен]]<ref>{{cite book |url=https://web.archive.org/web/20110303222309/http://www-d0.fnal.gov/hardware/cal/lvps_info/engineering/elementmagn.pdf|chapter=Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds| editor = Lide, D. R. | title = CRC Handbook of Chemistry and Physics | edition = 86th | location = Boca Raton (FL) | publisher = CRC Press | year = 2005 | isbn = 0-8493-0486-5 | lang = en }}</ref>
| магнетизъм_коментар		=
| модул_еластичност		=9,8
| модул_еластичност_коментар	=
| модул_срязване		=
| модул_срязване_коментар	=
| модул_натиск			=
| модул_натиск_коментар		=
| коефициент_Поасон		=0,47
| коефициент_Поасон_коментар	=
| твърдост_Моос	        	=1,5
| твърдост_Моос_коментар	=
| твърдост_Викерс		=
| твърдост_Викерс_коментар      =
| твърдост_Бринел		=56,8 – 68,7
| твърдост_Бринел_коментар 	=
| наименование			=на [[Галия]]
| открит_от			=[[Пол-Емил Лекок дьо Боабодран]]
| открит_през			=1875 г.
| изолиран_от			=
| изолиран_през			=
| изотопи			=
{{химичен елемент/изотоп разпад1|символ=Ga|масово_число=66|честота=[[синтетичен елемент|синт.]]|период_полуразпад=9,5 часа|тип_разпад=[[бета-разпад|β<sup>+</sup>]]|продукт_символ=Zn|продукт_масово_число=66}}
{{химичен елемент/изотоп разпад1|символ=Ga|масово_число=67|честота=синт.|период_полуразпад=3,3 дни|тип_разпад=[[електронен захват|ε]]|продукт_символ=Zn|продукт_масово_число=67}}
{{химичен елемент/изотоп разпад1|символ=Ga|масово_число=68|честота=синт.|период_полуразпад=1,2 часа|тип_разпад=β<sup>+</sup>|продукт_символ=Zn|продукт_масово_число=68}}
{{химичен елемент/изотоп стабилен|символ=Ga|масово_число=69|честота=60,11 %|firstlinks=yes}}
{{химичен елемент/изотоп разпад2|символ=Ga|масово_число=70|честота=синт.|период_полуразпад=21 мин.|тип_разпад1=β<sup>-</sup>|продукт_символ1=Ge|продукт_масово_число1=70|тип_разпад2=ε|продукт_символ2=Zn|продукт_масово_число2=70}}
{{химичен елемент/изотоп стабилен|символ=Ga|масово_число=71|честота=39,89 %|firstlinks=no}}
{{химичен елемент/изотоп разпад1|символ=Ga|масово_число=72|честота=синт.|период_полуразпад=14,1 часа|тип_разпад=β<sup>-</sup>|продукт_символ=Ge|продукт_масово_число=72}}
{{химичен елемент/изотоп разпад1|символ=Ga|масово_число=73|честота=синт.|период_полуразпад=4,9 часа|тип_разпад=β<sup>-</sup>|продукт_символ=Ge|продукт_масово_число=73}}
}}

'''Галият''' е [[химичен елемент]] с [[атомен номер]] 31 и символ '''Ga''', член на 13-а група, 4-ти период. Открит е през 1875 година. Втечнява се при стайна температура (29,76 °C) дори при по-продължително държане в ръка. Той не се среща в свободно състояние в природата. Галият е мек сребрист метал. Смес на галий (68,5%), индий (21,5%) и калай (10%), известна с тривиалното наименование [[галинстан]], има температура на топене много по-ниска от тази на замръзването на водата: -19 °C. Използва се главно за направата на смеси, които се топят при ниски температури. Тъй като е ценен [[полупроводник]], днес се използва в [[електроника]]та. Галиевият нитрид и индиево-галиевият нитрид дават синята и виолетовата светлина на светодиоди (LED) и [[Лазерен диод|лазерни диоди]].

== История ==
През 1869 г. [[Дмитрий Менделеев]] открива периодичния закон за известните тогава 63 елемента, чрез което през 1871 г. предсказва съществуването на още четири неоткрити елемента – [[Ga]], [[Германий|Ge]], [[Hf]] и [[Sc]]. Той предсказва и някои от свойствата на елемента като плътност, точка на топене и др.<ref>{{cite book|title=The Ingredients: A Guided Tour of the Elements|url=https://archive.org/details/ingredientsguide0000ball|author=Ball, Philip|publisher=Oxford University Press|page=[https://archive.org/details/ingredientsguide0000ball/page/105 105]|year=2002|isbn=0-19-284100-9|lang=en}}</ref>

През 1859 г. френският химик Пол-Емил Лекок дьо Боабодран ({{lang|fr|Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran}}) започва да се занимава с химията на виното в избата на баща си. По същото време започват и изследванията му на минерали с цел откриване на нови химични елементи. През 1863 г. той забелязва определена зависимост в изменението на спектралните линии на тривалентните елементи при прехода от един елемент към друг.<ref name="Лефтеров">{{Cite book|title=Химичните елементи итехните изтопи|last=Лефтеров|first=Димитър|publisher=Издателство на БАН „Проф. Марин Дринов“|year=2015|isbn=978-954-322-831-7|location=София|pages=314 – 319}}</ref> Празнотата между спектралните линии на [[Al]] и [[In]] го кара да предположи, че между тях трябва да има друг елемент с междинен спектър. Между 8 февруари 1874 г. и 27 август 1875 г. Боабодран преработва 52 kg сфалерит и получава 2 – 3 mg GaCl<sub>3</sub>, смесен с ZnCl<sub>2</sub>, който изследва със спектроскоп. Забелязва една виолетова, неизвестна до тогава спектрална линия. През ноември същата година той извлича 3 – 4 mg метален галий, и успява да наблюдава втората, отново виолетова, спектроскопска линия на елемента.<ref name="Bois">{{Cite journal|title = Caractères chimiques et spectroscopiques d'un nouveau métal, le gallium, découvert dans une blende de la mine de Pierrefitte, vallée d'Argelès (Pyrénées)| first = Lecoq |last = de Boisbaudran |page=493|journal = Comptes rendus|volume = 81|url = http://gallica.bnf.fr/ark:/12148/bpt6k3038w/f490.table|accessdate = 23 септември 2008|date = 1835 – 1965|lang = fr}}</ref><ref name="Лефтеров" /> В своя статия от същия месец той докладва атомната маса, плътността, температурата на топене и други физични свойства на галия.

След като се запознава със статията, Менделеев изпраща писмо във Франция, че новооткритият елемент е предсказаният от него ''екаалуминий'' и написал, че плътността на галия трябва да е около 6 g/cm<sup>3</sup>, а не 4,7 g/cm<sup>3</sup>. През следващата година Боабодран преработва 435 kg руда и извлича от нея 650 mg чист галий. Така той получава плътността на метала да бъде 5,935 g/cm<sup>3</sup>. Тогава той запознал Менделеев с резултатите си.

Боабодран нарича новооткрития елемент „галий“ в чест на родината си Франция.<ref name="Лефтеров" />

== Разпространение ==
Галият е силно разсеян елемент и се смята за рядък. Разпространението му в земната кора е по-голямо от бора – 1,8.10<sup>-3</sup>% и е на 35-о място сред елементите. Количеството му е приблизително колкото [[Li]], [[Nb]] и [[Pb]].<ref name="Greenwood" /> Среща се в незначително количество в минерали, като концентрацията му варира от стотни до десети от процента,<ref name="Лефтеров" /> главно в алуминиеви и железни руди поради близките атомни радиуси и сходните киселинно-основни свойства на тези метали<ref name="Киркова">{{Cite book|title=Химия на елементите и техните съединения|last=Киркова|first=Елена|publisher=Университетско издателство „Св. Климент Охридски“|year=2013|isbn=978-954-07-3504-7|location=София|pages=151 – 172}}</ref> и по-често в сулфиди, отколкото в оксидни минерали.<ref name="Greenwood" /> Бива откриван заедно с тези метали и в бауксит. Дълго време се е смятало, че галият няма собствен минерал. През 1951 г. е открит редкият минерал галит, CuGaS<sub>2</sub>. Среща се основно във вид на примес – 0,001% от сфалерита и пирита и 1,85% в германита, CuGeS<sub>4</sub>. Среща се и в някои видове въглища.<ref name="Лефтеров" />

== Физични свойства ==
<div style="float:left; margin:0.5em">
{|class="wikitable"
|+Свойства на Ga по различните кристални оси <ref name=anis/>
!Свойства!!''a''!! ''b'' !! ''c''
|-
|[[Топлинно разширение|α]] (~25&nbsp;°C, µm/m)||16||11||31
|-
|[[Специфично електрическо съпротивление|ρ]] (29,7&nbsp;°C; nΩ•m)||543||174||81
|-
|ρ (0&nbsp;°C; nΩ•m)||480||154||71,6
|-
|ρ (-195,85&nbsp;°C; nΩ•m)||101||30,8||14,3
|-
|ρ (-268,92&nbsp;°C; pΩ•m)||13,8||6,8||1,6
|}</div>
[[Файл:Gallium kristallisiert.JPG|мини|ляво|225п|Кристализация на галий от стопилка]]

Чистият галий е сребристосив и стъклоподобен. Топи се при 29,7646&nbsp;°C, което е третата най-ниска точка на топене при металите, след Hg и Cs.<ref name="Лефтеров" /> Плътността му в твърда фаза е 5,91 g/cm<sup>3</sup> при 20&nbsp;°C, а в течна&nbsp;– 6,095 g/cm<sup>3</sup>.<ref name="Лефтеров" /> Чистият галий е склонен към преохлаждане и може да запазва разтопеното си състояние дълго време при 0&nbsp;°C. Той е много мек. Оставя следа върху хартията и може да се драска с нокът. Твърдият галий е диамагнитен, а течният – слабо парамагнитен. При 1,09 K е свръхпроводим.

Кристализира в ортогонална сингония, в която образува псевдомолекулата Ga<sub>2</sub>, като всеки атом е обкръжен от 6 атома, разположени по двойки. Молекулите са свързани със слаби Вандерваалсови сили, определящи ниската му температура на топене.<ref name="Лефтеров" /> Тази кристална решетка са запазва в течно състояние, а газообразният галий е атомен.

Физичните свойства на галия са силно [[Анизотропия|анизотропни]] и са с различна стойност по трите кристалографски оси ''a'', ''b'' и ''c''. Свойствата на галия са също силно температурно зависими, особено близо до точката на топене.<ref name=anis>{{cite book|author=Rosebury, Fred |title=Handbook of Electron Tube and Vacuum Techniques|url=http://books.google.com/books?id=yBmnnaODnHgC&pg=PA26|year=1992|publisher=Springer|isbn=978-1-56396-121-2|page=26|lang=en}}</ref>

Избягва се съхранението му в стъклени или метални съдове, защото при замръзване той увеличава обема си 3,1%.

Галият е сред най-плътните течности и отстъпва по плътност на течната си фаза само на силиция, германия, бисмута и водата.

Галият не кристализира в нито една проста [[кристална структура]]. Стабилната фаза при [[нормални условия]] е орторомбична с 8 атоми. Всеки атом има само един най-близък съсед на разстояние 244 пикометра (pm) и шест други съседи вътре с допълнителни 39 pm. Стабилността на фазите зависи от температурата и налягането.

=== Изотопи ===
Природният галий е смес от своите два стабилни изотопа, <sup>71</sup>Ga и <sup>69</sup>Ga, синтезирани в звездите и на земята чрез s-процес и термодинамично равновесие. Получени са изкуствено и са изследвани 29 радиоактивни изотопа и два изомера с ''A'' от 56 до 86.<ref name="Лефтеров" /> Те имат периоди на полуразпад от 3 дена до части от секундата.

== Химични свойства ==
Галият е елемент от 13-а група, 4-ти период, с електронна конфигурация [Ar]4s<sup>2</sup>'''4p<sup>1</sup>''', с което започва изграждането на 4''p''-орбиталите.

На въздух се покрива с тънък и плътен оксиден слой, предпазващ го от по-нататъшно окисление. С горещ въздух или кислород формира Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, който при 700&nbsp;°C се редуцира от H<sub>2</sub> до Ga<sub>2</sub>O.<ref name="Лефтеров" /> Запален във вид на прах гори с ослепителна светлина. Хидроксидът Ga(OH)<sub>3</sub>, също като оксида, е амфотерен.

В разредени минерални киселини галият се разтваря бавно при невисоки температури. Процесът се ускорява с повишаването на температурата и концентрацията на киселината:<ref name="Лефтеров" />

<chem>2Ga + 6HCl -> 2GaCl3 + 3H2</chem>,

<chem>2Ga + 6H2SO4 -> Ga2(SO4)3 + 3SO2 + 6H2O</chem>,

<chem>Ga + 4HNO3 -> Ga(NO3)3 + NO + H2O</chem>.

В горещи основи се разтваря до хидроксидни комплекси:

<chem>2Ga + 6NaOH -> 2Na[Ga(OH)6] + 3H2</chem>.

Флуорът, хлорът и бромът реагират лесно с галия до GaX<sub>3</sub>. При нагряване реагира със сяра до Ga<sub>2</sub>S<sub>3</sub>.

Не реагира с H<sub>2</sub> и N<sub>2</sub>, но в среда на амоняк дава нитрид:

<chem>2Ga + 2NH3 -> 2GaN + 3H2</chem>.

С арсена, фосфора и антимона образува съответно арсенид, фосфид и антимонид, които са полупроводникови съединения от типа 3A-5A.

== Съединения ==
За галият са характерни съединения в (+3) степен на окисление и по-рядко – в (+1). Ga(+1) се получава в газова фаза при температури над 700&nbsp;°C. Съединенията с емпиричи формули, предполагащи (2+), често са валентно смесени съединения: GaCl<sub>2</sub> всъщност е Ga<sup>I</sup>Ga<sup>III</sup>Cl<sub>2</sub>.

=== Хидриди и сродни комплекси ===
GaH<sub>3</sub> е вискозна течност, която се разлага при 20&nbsp;°C.

При -45&nbsp;°C е възможна суха реакция между GaCl<sub>3</sub> и NaBH<sub>4</sub> до [Ga(''η''<sup>2</sup>-BH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>H]. При температури под нулата е възможно образуването и на други комплексни хидриди:<ref name="Greenwood">{{Cite book|title=Chemistry of the elements|last=Greenwood|first=N.|publisher=Butterworth Heinemann|year=1998|isbn=0-7506-33-65-4|location=Leeds|pages=217 – 268}}</ref>

<chem>2GaCl3 + 4 Me3SiH -> Ga2Cl2H4 + 4 Me3SiCl</chem>,

<chem>Ga2Cl2H4 + 2LiGaH4 -> Ga2H6 + 2LiGaH3Cl</chem>.

Познат е дигалан, Ga<sub>2</sub>H<sub>6</sub>, със структура, аналогична на биборана.<ref name="Greenwood" /> Известни са галиеви хидриди от вида Ga<sub>2</sub>H<sub>2n</sub>, n ≤ 4.<ref name="Greenwood" />

=== Халогениди ===
За галия са характерни трихалогениди, GaX<sub>3</sub>. При получаването им чрез неутрализация, те кристализират в GeX<sub>3</sub>·3H<sub>2</sub>O. Всички те са Люисови киселини и имат възможно приложение като катализатори. В твърда и течна фаза те са координационни олигомери.<ref name="Wilkinson">{{Cite book|title=Advanced Inorganic Chemistry|last=Cotton|first=F.|publisher=Wiley publishing|year=1980|isbn=0-471-02775-8|location=Texas|pages=326 – 351|last2=Wilkinson|first2=Geoffrey}}</ref>

GaF<sub>3</sub> се получава при термично разлагане на комплексния му флуорид:<ref name="Киркова" />

<math chem>\ce{(NH4)3GaF6} \xrightarrow{\mathrm{120~-~170~ ^\circ C}} \ce{NH4GaF4} \xrightarrow{\mathrm{300~ ^\circ C}} \ce{GaF3}</math>.

Познати са монохалогениди, които се получават чрез реакция на галиев трихалогенид с метален галий:

<chem>GaCl3 + 2Ga -> 3GaCl</chem>.

=== Оксиди, хидроксиди и кислородсъдържащи съединения ===
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> е бял амфотерен оксид и има полупроводникови свойства.<ref name="Лидин" /> Познати са α-, β-, γ-, δ- и ε-модификации,<ref name="Киркова" /><ref name="Greenwood" /> които се получават при пряко взаимодействие на метала с кислород или въздуха при различна температура. Редуцира се с графит до чист метал:<ref name="Лидин" />

<chem>Ga2O3 + 3C -> 2Ga + 3CO</chem>.

Образува смесени оксиди с карбонати на други метали:<ref name="Лидин" />

<chem>Ga2O3 + ZnCO3 -> ZnGa2O4 + CO2</chem>.

При взаимодействието на метала с водни пари се получава GaO(OH):<ref name="Лидин">{{Cite book|title=Неорганическая химия|last=Лидин|first=Р.|publisher=ООО „Дрофа“|year=2007|isbn=978-5-358-01303-2|location=Москва|pages=184 – 187}}</ref>

<chem>2Ga + 6H2O -> 2GaO(OH) + 3H2</chem>.

Амфотерни свойства има и Ga(OH)<sub>3</sub>. И двете съединения са по-кисели от алуминиевите им аналози, а галатите са по-стабилни.<ref name="Киркова" /> Във воден разтвор образува комплекси, които в зависимост от pH варират от [Ga(H<sub>2</sub>O)<sub>6</sub>]<sup>3+</sup> до [Ga(OH)<sup>6</sup>]<sup>3-</sup>.<ref name="Wilkinson" /> Известни са галати GaO<sub>2</sub><sup>-</sup> на множество метали.<ref name="Wilkinson" />

{| class="wikitable"
|+ Дисоциационни константи
|-
! Съединение !! K<sub>1</sub> !! K<sub>2</sub> !! K<sub>3</sub>
|-
| Ga(OH)<sub>3</sub> || 1,2.10<sup>-7</sup> || 2.10<sup>-11</sup> || 4.10<sup>-12</sup>
|-
| H<sub>3</sub>GaO<sub>3</sub> || 1,6.10<sup>-7</sup> || 5.10<sup>-11</sup> || 2.10<sup>-12</sup>
|}

С флуороводородна киселина и NH<sub>4</sub>F дава флуориден комплекс:<ref name="Лидин" />

<chem>Ga(OH)3 + HF + NH4F -> (NH4)3[GaF6] + 3 H2O</chem>.

От солите на галия най-голям интерес представляват стипците и самостоятелният сулфат: Ga<sub>2</sub>(SO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>·18H<sub>2</sub>O, KGa(SO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>·18H<sub>2</sub>O.

=== Халкогениди ===
Познати са 4 сулфида: Ga<sub>2</sub>S α-, β- и γ-Ga<sub>2</sub>S<sub>3</sub>, GaS и Ga<sub>4</sub>S<sub>5</sub>. С изключение на жълтите α-Ga<sub>2</sub>S<sub>3</sub> и GaS, те са бели твърди вещества. Известни са аналогични селениди и телуриди.<ref name="Greenwood" />

=== Други съединения ===
Солите със слаби киселини – сулфид, карбонат, цианид, ацетат и др. не могат да се съхраняват като реактиви дълго време, защото хидролизират:

<chem>Ga2S3 + 3H2O -> Ga(OH)3 + 3H2S</chem>.

GaAs, GaP, GaSb се използват в полупроводниковата промишленост. С металите, освен с тези от 3-а, 12-а и 14-а група и Bi, образува галиди. С промишлено значение са V<sub>3</sub>Ga и Nb<sub>3</sub>Ga.<ref name="Лефтеров" />

=== Органометални съединения ===
Органогалиевите съединения са подобни на органоалуминиевите, но са по-слабо изучавани<ref name="Greenwood" /> и много по-нестабилни.<ref name="Wilkinson" /> Някои органогалиеви съединения са стабилни във воден разтвор и образуват кристални адукти с неполярни разтворители, например Me<sub>3</sub>Ga·Et<sub>2</sub>O.<ref name="Wilkinson" /> GaR<sub>3</sub> се получава при алкилиране на Ga с HgR<sub>2</sub> или при взаимодействие на MgRX или AlR<sub>3</sub> с GaCl<sub>3</sub>. Други известни съединения включват Ga(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>N, GaCp<sub>3</sub> и множество аренови производни – [Ga(''η''<sup>6</sup>-C<sub>6</sub>H<sub>6</sub>)][GaX<sub>4</sub>],<ref name="Greenwood" /> както и Ga(OR)<sub>3</sub>, β-дикетонни, пироацетолни, дикорбоксилни производни от вида [GaR<sub>3</sub>]<sup>3-</sup>.<ref name="Wilkinson" /> Получени са и органометални комплекси с преходните метали.<ref name="Wilkinson" />

== Получаване ==
Галият не се среща самостоятелно в природата, но се получава лесно чрез топене на руда. Добиването му е свързано с извличането му като страничен продукт главно при производството на [[Al]], [[Zn]] и [[Германий|Ge]]. Основният му добив е като страничен продукт от производството на алуминий.<ref name="Greenwood" /> След извличането си от тези минерали, той съдържа и много други примеси, като Zn, Te, Cu, Al, Mg, Fe, Ni, Hg, Cd.<ref name="Лефтеров" /> Разработени са специални методи за очистването на метала: филтрация през порести прегради, киселинно-алкална преработка, амалгамно отделяне, нагряване до 900 – 13000&nbsp;°C и електролиза. За получаването на галий с полупроводникова чистота (99,99995%) се прилагат кристализационни методи, например зонно топене.

При разтваряне на NaOH в боксити, съдържащи галий, разтворът се подкиселява с CO<sub>2</sub> и при pH≈10, алуминият се утаява като Al(OH)<sub>3</sub>, а галият – Na<sub>3</sub>[Ga(OH)<sub>6</sub>]. Натриевият галат се подлага на електролиза със стоманени електроди.

От цинковите и германиевите руди германият се разтваря в 6,5 M HCl, откъдето с етер се извлича Ga<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>. Полученият маслообразен разтвор се разтваря в NaOH и се подлага на електролиза.<ref name="Киркова" />

95% от производството на галия е за създаване на GaAs. Съединението се получава от триметилгалий и арсан:

<chem>(CH3)3Ga + AsH3 -> GaAs + 3CH4</chem>.

Галиевият арсенид е устойчив на въздух, вода, киселини и основи. Разлага се бавно със сярна или солна киселина:<ref name="Лефтеров" />

<chem>GaAs + 3HCl -> GaCl3 + AsH3</chem>.

== Приложение ==
Галиевите йони имат медицински приложения, защото са подобни на железните йони.

Подобно на водата, при втвърдяване галият се разширява. Намира приложение вместо [[живак]]а в термометри за измерване на високи температури.

Галият намалява податливостта на плутония към корозия, а чрез [[Сплав|легирането]] му с галий [[Плутоний|плутоният]], използван в ями за [[Ядрено оръжие|ядрени оръжия]], бива стабилизиран в δ фазата и става подлежащ на обработка.<ref>Sublette, Cary (2001-09-09). [http://nuclearweaponarchive.org/Nwfaq/Nfaq6.html#nfaq6.2 "Section 6.2.2.1"]. Nuclear Weapons FAQ. Retrieved 2008-01-24.</ref> Плутониево-галиевата сплав е разработена по време на проекта в Манхатън.<ref>Martz, Joseph & Freibert, Franz & Clark, David. (2021). [https://www.researchgate.net/publication/349963042_The_Taming_of_Plutonium_Pu_Metallurgy_and_the_Manhattan_Project/citation/download The Taming of Plutonium: Pu Metallurgy and the Manhattan Project.] ResearchGate</ref>

Mg(GaO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>, активиран с Mn<sup>2+</sup>, е зелен луминофор в ксероксите.<ref name="Киркова" />

[[Галиев арсенид|Галиевият арсенид]] е [[полупроводник]] и се използва за направата на [[светодиод]]и и свръхвисокочестотни [[транзистор]]и. Изпаренията на галиевия арсенид са силно токсични и опасни за човека.

От откриването му през 1875 година до ерата на полупроводниците главното приложение на галия било за направата на високотемпературни термометри и направата на метални смеси с необикновени свойства. С развитието на полупроводниците през 1960 започва ерата на галиевия арсенид.<ref name="Moskalyk">{{Cite journal|title = Gallium: the backbone of the electronics industry |first = R. R.|last = Moskalyk|journal = Minerals Engineering|volume = 16|page = 921| year =2003|doi = 10.1016/j.mineng.2003.08.003|issue = 10|lang = en}}</ref>

== Токсичност ==
Галият е слаботоксичен и се смята, че не участва в биологичните процеси. Когато се държи с голи ръце, той мокри кожата и остават петна от метала.<ref name="Лефтеров" />

== Източници ==
<references />

{{Периодична система}}

[[Категория:Химични елементи]]
[[Категория:Метални елементи]]